7月23日消息，长江存储在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。

据介绍，长江存储自2022年底被列入美国实体清单后，产能扩张并未停滞，反而展现出强劲的发展势头。目前，长江存储的月产能已接近13万片晶圆，占全球NAND闪存8%的份额。

根据规划，2025年将冲刺15万片，2026年目标全球占比达到15%。在技术层面，长江存储也取得了显著进展。其已出货的232层TLC芯片X4-9070，通过双层堆叠实现了294层等效密度。未来，长江存储还将推出1TB TLC、3D QLC X4-6080以及2TB TLC X5-9080等产品，并计划通过三层堆叠技术突破300层，进一步提升晶圆比特量。

全国产线的试产若能成功，有望使比特产量翻倍，助力长江存储实现2026年15%的市场份额目标。然而，从试验线到大规模量产并非一蹴而就，国产设备的长期稳定性、不同设备间的工艺兼容性以及成本控制能力都是需要解决的关键问题。

NAND产线需要7×24小时连续运转，设备的稳定性至关重要；不同设备间的工艺兼容性则直接影响良率波动；而国产设备的单位投资目前仍高于国际水平，成本控制能力亟待提升。

长江存储的全国产线试产是中国半导体产业在全球竞争中的一次“范式创新”。它证明了即使在单点技术落后的情况下，通过设备、工艺、架构的系统协同，仍能实现产业链的整体突破。但必须清醒认识到，试验线的成功只是第一步，从良率稳定到成本优化，再到产品迭代，至少还需要3-5年的打磨周期。

分析师认为，如果试验成功，最终可能会使比特产量翻倍，并将市场份额推高至超过15%，但他们也提醒说，该设施是实验性的，大规模生产还需要时间。

TechInsights的报告显示，长江存储最新的“Xtacking 4.0”芯片在性能上与市场领导者相当，不过由于在极紫外光刻（EUV）等关键领域中国仍存在差距，这使得持续增长将取决于缩小设备和产量差距的能力。