据联发科介绍，台积电2纳米制程首次采用纳米片（Nanosheet）晶体管结构，可带来更优异的性能、功耗与良率。

该增强版2纳米制程与现有N3E制程相比，逻辑密度提高1.2倍，在相同功耗下性能提升高达18%，或在相同速度下功耗降低约36%。

联发科表示，公司与台积电长期在旗舰移动平台、运算、车用及数据中心等领域共同开发高性能、高能效芯片组，此次合作标志着双方战略伙伴关系进入新里程碑。尽管未公布具体产品名称，根据产品规划推测，该芯片或为下一代天玑9系旗舰平台——天玑9600。

与此同时，三星电子也宣布其首款2纳米芯片Exynos 2600已完成开发，计划于本月底启动量产。该芯片采用全栅极环绕（GAA）工艺，预计将搭载于明年年初发布的Galaxy S26系列旗舰手机。

据行业消息显示，三星内部对Exynos 2600的性能表现信心显著。在近期内部会议中，高管强调其性能“显著优于前代产品Exynos 2500”，并计划推动芯片于月底实现量产。三星系统LSI业务部负责人朴庸仁亦于7月表示，Exynos 2600的准备工作正在稳步推进。

Geekbench性能测试数据显示，疑似Exynos 2600的处理器单核得分达3309，多核得分11256，较此前测试成绩（单核2575、多核8761）有明显提升。该性能表现与高通下一代骁龙8 Elite第二代处理器（单核3393、多核11515）处于同一水平。

若Exynos 2600最终应用于Galaxy S26系列，将是自2024年S24系列之后，Exynos芯片时隔两年再次回归三星旗舰机型。此举预计将为三星系统LSI、晶圆代工及移动体验（MX）部门带来显著收益。

联发科董事、总经理暨营运长陈冠州表示：“此次采用台积电2nm制程技术的芯片开发，再次展现我们引领业界，将先进半导体制程技术赋能于广泛的设备和应用解决方案的创新能力。我们与台积公司长期紧密合作，让联发科旗舰产品拥有至高性能与能效，为全球客户带来从边缘到云端的卓越解决方案。”